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Soitec社が22nmプロセス向けSOI技術を発表

[issued: 2009年6月22日]
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 SOI(Silicon on Insulator)ウェーハの専門メーカーであるフランスSoitec社は、22nmのCMOSプロセス向けの完全空乏型(FD)SOIウェーハのプラットフォームを発表した。300mmのUTSOI(極薄SOI)ウェーハに対応するもので、同社が特許を取得している「Smart Cut」技術を利用して製造されるという。同社は「最上層のシリコンが極めて薄い(20nm)SOIウェーハを、許容範囲±0.5nmで膜厚均一性で大量に生産できる」と述べている。これによって、FD型SOIプロセス技術を、主流の用途向けに利用できる可能性が開けることとなる。

 Soitec社は、「この極薄SOI技術によって、設計担当者が性能を維持しながら、消費電力とリーク電流とを削減することが可能になる」と主張している。またSoitec社グループのCOO(最高執行責任者)を務めるPaul Boudre氏は、「CMOSのアーキテクチャが簡単になり、その結果、バルクプロセスでのアプローチの場合以上に、コストを削減することが可能になる」と述べている。

(Electronicc Weekly)

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CMOS プロセス 22nm Soitec SOI FD

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