NEWS CENTER


ブレークダウン電圧が950VのパワーMOSFET、
オン抵抗は1.35Ω未満

[issued: 2009年5月21日]
この記事を : 印刷する 印刷   メールで送る メールで送る   ブックマーク はてなブックマークに登録 この記事をクリップ Buzzurlにブックマーク Yahoo!ブックマークに登録   
「STx7N95K3ファミリ」

 スイスSTMicroelectronics社は2009年5月、ブレークダウン電圧が950VのnチャンネルのパワーMOSFET「STx7N95K3ファミリ」を発表した。オン抵抗は1.35Ωで、デバイスサイズ当たりのオン抵抗を同社従来品に比べて30%低減したことになるという。液晶モニターやテレビなどにおける電源の用途に向ける。すでに量産出荷を開始しており、1000個購入時の単価は約2.00米ドル。TO-220FPの「STF7N95K3」、TO-220の「STP7N95K3」、TO-247の「STW7N95K3」といったパッケージオプション品が用意されている。3品種とも、ゲート‐ソース間電圧は±30Vで、25℃におけるドレイン電流(連続電流)は7.2A。動作温度範囲は-55~150℃である。

 高電圧の電源には、トランジスタを2個使用することが多い。STx7N95K3ファミリは950Vという高いブレークダウン電圧を実現しているため、その2個のトランジスタを1個で置き換えることが可能になる。その結果、設計の簡素化や部品点数の削減に貢献するという。

 また、ゲート電荷と内部キャパシタンスを低下させることで、スイッチング性能を改善した。そのため、従来よりも高いスイッチング周波数を使用することが可能となり、コンデンサやインダクタといった磁性部品の小型化も見込める。

この記事を : 印刷する 印刷   メールで送る メールで送る   ブックマーク はてなブックマークに登録 この記事をクリップ Buzzurlにブックマーク Yahoo!ブックマークに登録   

Sponsor Links [ PR ]

関連情報  by  Supplier Showcase

EDN RESOURCE CENTERpowered by Supplier Showcase

SPECIAL CONTENTS [ PR ]

最新ニュース

キーワードタグ一覧