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NAND型フラッシュを代替する大容量メモリー、
Unity Semiconductor社が開発

[issued: 2009年5月22日]
[メモリー] [Misc.] [ビジネス戦略]
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　米Unity Semiconductor社は2009年5月、ビット当たりの製造コストを最小限に抑えつつ、業界最小クラスのダイサイズを実現する新たな不揮発性メモリーを開発したと発表した。同社は、多層メモリーアレイ構造と、導電性の金属酸化物を用いた独自技術「CMOx」によって、メモリーの大容量化に成功したという。このCMOxメモリーは、小型化や高密度化に加えて、書き込み性能に優れることから、既存のNAND型フラッシュメモリーの代替が可能になると期待されている。

　Unity社は2年ほど前に容量が64Kビットのメモリーを開発し、2008年には容量が64Mビットのメモリーの開発に成功している。さらに、同社は現在、容量が64Gビットの大容量メモリーの設計を進めており、まもなくテープアウトを迎えるとしている。この64Gビットのメモリーについて、「2010年後半にはパイロット生産を開始し、2011年第2四半期からの量産開始を計画している」（同社）という。

　Unity社は、今回開発したCMOxメモリーが対象となり得る大容量の不揮発性メモリー市場について、「2010年には150億米ドル、2013年には250億米ドル以上まで成長することが見込まれている」としている。具体的には、ノート型パソコンやネットブック、MID（Mobile Internet Devices）、スマートホン向けのSSD（Solid State Drive）としての利用が見込まれるという。

　CMOxメモリーは、ある金属酸化物を組み合わせて用いることで、イオンの電荷が移動した際に発生するスイッチ効果を利用する。CMOx技術によって、パッシブのクロスポイント型多層メモリーアレイを形成でき、相変化メモリーなどのようにセルごとにトランジスタを必要としない。Unity社は、「CMOxメモリーは、既存のNAND型フラッシュメモリーと比べて、4倍の高密度化、5～10倍の書き込み速度を実現する」としている。

（Electronic News）

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メモリー NAND フラッシュ CMOx Unity Semiconductor

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