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IBM社ら、32nmの試作デバイスで良好な特性を確認

[issued: 2008年4月16日]
[Misc.] [半導体製造]
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　米IBM社と同社のパートナ企業であるシンガポールChartered Semiconductor Manufacturing社、米Freescale Semiconductor社、ドイツInfineon Technologies社、韓国Samsung Electronics社、スイスSTMicroelectronics社、東芝の7社は、32nmプロセスで製造した試作デバイスの評価を行ったところ、性能と消費電力の両方で優れた結果が得られたと発表した。

　この試作デバイスは、High-k（高誘電率）/メタルゲート技術を採用した32nmプロセスで製造されており、ニューヨーク州イーストフィッシュキルにあるIBM社の300mmウェーハ工場でデモが行われた。IBM社らは今回の成果について、「32nmデバイスを早期に市場投入する可能性を示すもの」と説明している。

　IBM社らのアライアンスによると、「High-k/メタルゲート技術を用いた32nmプロセスのデバイスは、45nmプロセスで製造した同じ動作電圧のデバイスと比較して、性能は最大で35％向上し、消費電力は45％削減された」と主張している。また、「ライブラリ用のテストチップと業界標準のマイクロプロセッサのクリティカルパスによる試験でも、従来技術と比較して面積が同じ場合で40％の性能向上を確認したした」（同アライアンス）という。

　さらにIBM社は、米ニューヨーク州立大学アルバニー校の研究施設であるCollege of Nanoscale Science and EngineeringのAlbany NanoTech Complexで製造されたデバイスについても述べており、「今回の技術を22nmプロセスに適用できることが示された」としている。

（Electronic News）

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