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ロームが0.001ルクスの環境下で
撮像可能なイメージセンサーを開発

[issued: 2008年4月18日]
[電子部品/個別部品] [Misc.]
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CIGS系イメージセンサー
CIGS系イメージセンサー
図1　CIGS系イメージセンサーとシリコン系イメージセンサーによる撮像結果
図1　CIGS系イメージセンサーとシリコン系イメージセンサによる撮像結果

　ロームと産業技術総合研究所太陽光発電研究センターは2008年4月、従来のCCDやCMOSイメージセンサーと比較して広帯域/高感度なCIGS（CuInGaSe2、2セレン化銅インジウムガリウム）系イメージセンサ－を開発したと発表した。従来のイメージセンサーと比較して約100倍の高感度を達成しており、星明かり程度の照度である0.001lx（ルクス）の環境下でも撮像することができる（図1）。また、従来のイメージセンサーよりも広い帯域を備え、近赤外線による撮像も行える（図2）。今後、製造プロセスの微細化と安定化を図り、車載カメラや防犯カメラ、虹彩/静脈認証などの用途に向けた商品化を進めるという。

　ロームと産業技術総合研究所は、CIGSがシリコンの約100倍の光吸収率を備えることに着目し、今回のCIGS系イメージセンサーの開発を進めていた。今回、CIGSによる薄膜を積層する製造プロセスの改善と、材料の組成比率を最適化することにより、光電効果で発生した電荷をデバイス内部で増幅することに成功し、CIGS系イメージセンサーの試作を実現したという。

図2　CIGS系イメージセンサーとシリコン系イメージセンサーのとの感度比較
図2　CIGS系イメージセンサーとシリコン系イメージセンサーのとの感度比較
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ローム CIGS イメージセンサー 光電効果 産業技術総合研究所 太陽光発電研究センター CuInGaSe2 2セレン化銅インジウムガリウム 0.001lx

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