MEMS（micro electro mechanical systems）向けのシリコンベースのデータ記憶チップ（メモリーチップ）の開発を手がける米Nanochip社は2008年1月、米Intelの投資部門である米Intel Capital社から追加融資を受け、年内に初の超大容量記憶チップの試作品の開発を完了すると発表した。1400万米ドルのシリーズC2投資ラウンドには、Intel社のほかに、前回Nanochip社に投資した米JK＆B Capital社と、もう1つ別の匿名の投資会社も参加した。

　Nanochip社はこの資金提供によって「初の試作品を完成させ、2009年には、設計確認試験と、一部顧客へのサンプル出荷に対応できる」と述べている。同社はこのチップで、コンピュータ、サーバー、および家庭用電化製品の市場に狙いを定めている。

　Nanochip社のCEO（最高経営責任者）であるGordon R Knight博士は、「当初のスケジュールでは、2010年までに、当社初の製品を商品化することになっていた。現在、それを十分に達成できる方向に向かっている」と声明の中で述べた。

　Nanochip社によれば、同社の超大容量記憶チップは、1つのチップで数10ギガバイトもの記憶容量を持つ。これは複数の高品位長編ビデオを記録できる量に相当する。同社は、MEMSとナノプローブアレイ技術とを結び付けることによってそれが可能になり、現在の半導体メモリーに用いられている従来型リソグラフィの限界をはるかに超えることができると主張している。さらに、同社は「最初の商用製品では、容量が1チップ当たり100GBを超え、価格もフラッシュメモリーよりかなり安くなる」と述べた。将来的には、記憶容量は数テラバイトに達すると予想される。

　Intel Capital社のメモリーデジタルヘルス部門担当バイスプレジデント兼製造部長であるKeith Larson氏は「消費者向け、ビジネス向けのさまざまな用途では、費用効率が良く、不揮発性の半導体メモリーが必要となる場合、これまではフラッシュメモリーが選ばれてきた。しかし、フラッシュメモリーのプロセス技術はスケーリングの限界に達しつつある。そのため、飛躍的に高い記憶容量を実現でき、ギガバイト当たりのコストもフラッシュメモリー技術に比べてはるかに安くできるNanochip社の技術が有利な状況にある。Nanochip社の製品のようなメモリー部品によって、新しい革新的な電子機器の実現が可能になり、従来のコンピュータ機器あるいはほかの機器の性能が向上すると考えている」と述べた。

　Intel社は2006年にも、Nanochip社の投資ラウンド（1000万米ドル）に参加している。Nanochip社は1996年に操業を開始して以来、7件の米国特許を取得し、34件の特許を出願中である。

（Electronic News）