次世代無線アプリケーションへの関心の高まりを受け、今後数年間でガリウムヒ素(GaAs)マイクロエレクトロニクス業界の大幅な成長が期待できそうだ。市場調査会社の米Strategy Analytics社の最新レポートによると、「GaAs市場のCAGR(compound annual growth rate：年平均成長率)は12％で、市場規模は2006年の30億米ドルから2011年には50億米ドルに拡大する」という。

　GaAsは優れた発光特性と高い耐圧、高周波動作の安定性を備えていることから、シリコン(Si)に匹敵する半導体材料として位置付けられている。しかし、GaAsはSiほど量が豊富ではないし、処理に要する費用が高い。

　「GaAs業界の成長の原動力になるのが無線アプリケーションだ。2011年には、GaAs MMIC(マイクロ波モノリシックIC)製品需要のうち同分野が79％を占める」とStrategy Analytics社は予測する。さらに同社は、「GaAsデバイスの最大の市場は携帯電話機市場であることは変わらない。しかし、従来の携帯型端末機器市場は縮小し、2007年以降は、Wi-Fi(無線LAN)がGaAsデバイスの2番目の市場になる」との見方を示した。

　Strategy Analytics社でGaAs/化合物半導体技術サービス部門のディレクタを務めるAsif Anwar氏は、「われわれは携帯電話機のフロントエンドに使用されるパワーアンプ(PA)のさまざまな実現方法を目にしている。通常のPAモジュールのほか、PAとスイッチ、PAとフィルタから成るモジュールもある。どのような形態をとるにしても、GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)が PAの主流になり、Si LDMOSのシェアは失われていくだろう」と述べた。

　さらに、同社でストラテジックテクノロジー担当バイスプレジデントを務めるStephen Entwistle氏は、「Wi-Fi市場でのGaAsデバイスの需要は2011年までに28％のCAGRで成長する見込みだ」と付け加えた。

　また、同社は、「無線アプリケーション以外では、GaAsデバイスの需要は、ケーブルテレビや衛星放送などの民生向け、あるいはミリ波、光ファイバなどの市場で、2011年までに6～11％のCAGRで成長する」と報告した。

(Electronic News)