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Electronic Newsから:
QUALCOMM社、Samsung社の
OneNAND型フラッシュメモリーチップを採用

[issued: 2007年1月5日]
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 米QUALCOMM社のチップセットに、韓国Samsung Electronics社のハイブリッド型フラッシュメモリーチップ「OneNAND」を採用することで両社間の同意が得られたことが2006年12月 21日付けで発表された。これにより、Samsung社のOneNAND型フラッシュメモリーはQUALCOMM社の新しいモバイルステーションモデム (MSM)チップセットに搭載される。

 両社の発表によれば、フラッシュメモリーチップをサポートしたMSMチップセットは数は少ないものの、すでに存在した。しかし、両社は「OneNAND 型フラッシュメモリーチップ製品をフルに活用し、最新技術を投入してチップ性能の最適化を行い、マルチメディア機能を豊富に備えた製品を近々市場に投入する予定だ。そして、今後ますます製品機能を充実させて大幅に利用範囲を拡大させた製品群を提供する」という。

 米QUALCOMM CDMA Technologies社で戦略的製品担当副社長を務めるMike Concannon氏は、「Samsung社のOneNAND型フラッシュメモリー製品の高い性能とQUALCOMM社製チップセットの汎用性とが結び付くことにより、新しく魅力的なハンドセット携帯機器を実現でき、広範囲にわたる用途での市場展開が可能になる。当社は、ユーザーにとって最も魅力的な次世代3Gマルチメディア機器を作り出す可能性をSamsung社と共同で研究し、商品化に向けて協働できることを喜ばしく思う」と発表の中で語った。

 Samsung社のOneNAND型フラッシュメモリーチップ製品の動作速度は17Mバイト/秒で、書き込み速度はHSDPA(high speed downlink packet access)仕様を超える連続的なストリーミングエアーダウンロードをサポートしている。この処理速度は、携帯電話業界が3G対応に特化したコンテンツサービスに移行する上で有利な特徴だ。OneNAND型チップ製品を60nmプロセスで製造した場合、最高で2Gバイトの容量が実現される。 Samsung社によれば、2007年には50nmプロセスを用いて4Gバイトの容量が達成されるという。

 Samsung社は最近、OneNAND型フラッシュメモリーの後継製品でデュアルポートアプローチ技術を取り入れた133MHz、512Mバイトの OneDRAM型フラッシュメモリー製品を開発中だ。この製品では、プロセッサ間でデータをやり取りする時間が大幅に短縮されるという。

(Electronic News)

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