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NAND型フラッシュは当分、年率2倍で集積度向上

[issued: 2006年6月29日]
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 韓国Samsung Electronics社は、年率2倍でNAND型フラッシュメモリーの集積度が向上するというファンの法則を今後5年くらいは堅持すると発表した。これは、第13回LSI・オブ・ザ・イヤーのデバイス部門でグランプリを受賞した、日本サムスン代表取締役専務のミン・ドンウク氏(写真)が述べたもの。この賞は昨年発表した16GビットのNAND型フラッシュメモリーに与えられた。
 1999年以降、Samsung社は年率2倍という、ムーアの法則を超える勢いでNAND型フラッシュメモリーの集積度を上げてきた。最近、モバイルコンピュータのハードディスク装置(HDD)の代わりにフラッシュメモリーを搭載して立ち上がり速度を上げたパソコンが相次いで発表されたが、NAND型フラッシュは大容量化がさらに進む。これからの市場として、このモバイルPCに加え、HDDのキャッシュとしてフラッシュを使う用途も開けると見ている。記憶容量が40Gバイト以下のモバイルPCではHDDからフラッシュメモリーに置き換わると同氏は語る。
 年率2倍のペースはあくまでも市場の要求によると断りながらも当分5~6年は維持されるのではないかという。
(津田建二)

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