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Electronic Newsから:
Intel社、45nmプロセス技術の開発は順調

[issued: 2006年12月7日]
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 米Intel社は、45nmプロセス技術を用いて製造したSRAMチップの完全動作確認の検証が成功したことに続いて、45nmのプロセッサ製品「Penryn」を2007年下半期に出荷予定で順調に作業を進めていることを本誌のインタビューで明らかにした。同社は開発目標を計画通りに着実に達成している。

 Intel社の技術アナリストを務めるRob Willoner氏は、本誌のインタビューに対し「当社は45nmプロセッサの製造を、米国のオレゴン州(D1D)の工場で行っている。65nm製品の製造工場を3カ所にするために現在90nmプロセス製品用の工場を65nm用に変更している」と語った。さらにWilloner氏は65nmプロセス技術の一部分を明らかにした。Intel社ではトランジスタのエネルギー効率を高めるためにシリコンゲルマニウム(SiGe)を使用しているという。また、電源電圧1.0VでNMOSの駆動電流は1.21mA/μm、PMOSの駆動電流は0.71mA/μm、さらにリーク電流は100nA/μmだという。

 同氏は続けて、「65nmトランジスタの寸法は、ゲート絶縁膜厚が1.2nm、ゲート長が35nm、トランジスタのピッチが220nm、メタル1のピッチが210nm、メタル2のピッチが210nm、メタル3のピッチが220nm、SRAMセルの寸法は0.62μm2である」と語った。最新プロセスではトランジスタの小型化と高性能化が進んで集積度が高まり、複数のコアチップの統合が可能だという。Willoner氏は、「2~3年以内に、マイクロプロセッサはすべてマルチコアチップになると見ている」と述べた。

 Penrynファミリ製品は、45nm技術を用いて設計されており、性能/エネルギー効率の面ではCore 2やXeonをベースとしている。これらのプロセッサは、サーバーやデスクトップ型パソコン、モバイル用パソコンに利用されるし、第2世代のクアッドコアチップも含んでいる。同ファミリ製品は、Stream SIMD Extension(SSE)4命令セットをサポートし、高性能演算処理が必要なアプリケーションにも対応する。

 最後にWilloner氏は、「Intel社初のPenrynチップは間もなく出荷される」と結んだ。

(Electronic News)

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