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2006年3QのMOS IC生産稼働率、2Q比2.7%ポイント減少

[issued: 2006年11月24日]
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 SICAS統計(Semiconductor International Capacity Statistics:世界半導体生産キャパシティ統計)は、2006年第3四半期(7~9月。以下、3Q)のMOS IC生産能力と生産稼働率をまとめた。MOS ICの生産能力(8インチウェーハ換算)は、2006年第2四半期(以下、2Q)に比べ4.2%増加して、173万400枚/週となった。前年同期に比べると3Qは16.7%の増加となる。特に、最先端の0.12μm未満のプロセスが2Qに比べ17.1%増と大きく伸び、全体の伸び率を押し上げた。一方、生産設備の稼働率は89.1%で、2Qに比べ2.7ポイント下がった。稼働率が90%を切るのは2005年2Q以来、1年ぶりとなる。
 MOS ICの生産能力を加工精度別に見ると、0.7μm以上、0.3μm以上0.4μm未満、0.16μm以上0.2μm未満の生産能力が減少したのに対し、 0.12μm未満は17.1%増の63万4700枚/週と大幅に増えるなど、最先端プロセスの生産能力は拡大し続けていることが分かる。0.4μm以上 0.7μm未満や0.2μm以上0.3μm未満も、それぞれ2.5%、3.4%増加した。
 MOS ICの生産稼働率は0.3μm以上0.4m未満のみが83.4%で2Qに比べ1.0ポイント上昇した。最先端の0.12μm未満も2Qに比べ2.6ポイント減少したが、稼働率は94.3%と、90%台を維持している。
 MOS ICに占めるファウンダリウェーハの生産能力は、2Qに比べ3.2%増加し、28万9400枚/週となった。生産稼働率は2.8ポイント下がり91.5%となった。
 12インチ(300mm)ウェーハの生産能力は2Qに比べ17.8%増の21万3600枚/週と大きく伸びたが、生産稼働率は87.9%で2Qに対し8.8ポイント減少した。
 SICASは世界の主要半導体メーカー41社が参加する組織で、1994年から活動している。


MOS ICの生産能力と生産稼働率
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