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最優秀InnovatorはIntel社の45nm開発チーム ——第18回 EDN Innovation Awardsの受賞者が決定

[issued: 2008年5月号]
[プロセッサ] [半導体製造]

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　2008年4月14日（米国時間）、カリフォルニア州サンノゼで、米EDN誌が主催する「第18回 EDN Innovation Awards」の受賞者/受賞製品が発表された。その大賞に当たる「Innovator of the Year」には、2007年に最も大きな功績を上げた開発チームとして、米Intel社の45nmプロセス開発チームが選ばれた。

　同賞は、ユニークかつ最先端の電子製品や、その開発に携わった技術者、EDN誌への最も優れた寄稿記事などを表彰するもの。EDN誌の編集者が最終候補を選定し、ウェブ上に公開された候補の中から、読者投票によって最終的な受賞者を決める。表彰部門はInnovator of the Yearを含め、合計21部門にわたる。各部門の受賞者/受賞製品は表1のようになった。

表1　「第18回 Innovation Awards」の受賞製品/受賞者一覧
表1　「第18回 Innovation Awards」の受賞製品/受賞者一覧

　今回、Intel社の45nmプロセス開発チームがInnovator of the Yearを受賞した理由は、従来シリコンベースで作られていたゲート/ゲート絶縁膜を、それぞれ金属ゲートと酸化ハフニウム（HfO2）に置き換え、その新プロセスを適用した製品で顕著な実績を作ったことだ。Intel社はこれら技術の詳細は公表していないが、同社によると、「ムーアの法則」で知られるGordon Moore氏は、これを「1960年代以降のトランジスタ技術において、最も重要な変革だ」と表現しているという。

　2007年11月、Intel社は、これらの新技術を適用した新世代の45nm製品を発表した。前世代よりもトランジスタが小型化され、スイッチングに必要な電力が30％も減少し、性能アップと省電力の両方を実現したという。業界では、パソコン向けプロセッサの中で、同社のクワッドコアプロセッサ「Core 2 Extreme QX9650」が最も高速な製品だと見なされている。

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プロセッサ Intel Innovation Awards 45nm ゲート メタル ハフニウム 絶縁膜

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