2006年06月22日

ElectronicsWeeklyから： IBMが動作周波数500GHzのトランジスタを実現、 シリコン・デバイスの限界を更新

米IBM社と米ジョージア工科大学は、500GHzより高い周波数で動作可能なシリコン・チップを実現したと発表した。現状の2GHz動作のパソコンより250倍高速なプロセッサが登場する可能性があるということだ。ただし、この画期的達成に沸き上がる前に、「注」を付けておく必要がある。この超高速動作は、極低温の華氏-451度(絶対温度4.5K)でシリコン・チップを凍らせることによって達成できた。この温度は、自然界の最低温度である絶対ゼロ度(華氏-459.67度)よりほんの8度高いだけである。 　IBM社のバイス・プレジデント兼最高技術責任者を務めるBernie Meyerson氏は、「ジョージア工科大学と当社によるこの最先端の研究は、シリコン・ベースの半導体の限界性能を定義し直した」と述べた。 　さらに重要なことは、今回の研究で使用されたチップは、室温でおよそ350GHzで動作したということだ。IBM社とジョージア工科大学の研究員たちが共同で行った今回の実験は、極低温で動作が高速化する特徴を持つシリコン・ゲルマニウム(SiGe)デバイスの動作速度の限界を調べるプロジェクトの一部である。 　ジョージア工科大学の付属機関Georgia Electronic Design Center(GEDC)の研究員であるJohn Cressler氏は、「当大学とIBM社は、商用のシリコン技術である大型ウェーハと、シリコン互換性のある低コストの製造技術を使って、1秒当たり5000億サイクルの速度を実現することに成功した」と述べた。 　両者によると、「超高速シリコン・ゲルマニウム回路は、民生用通信システムや、軍用電子機器、宇宙探査、遠隔探査などの分野で利用できる」という。従来の技術で製造が可能なシリコンを使って、今回のような超高速動作を達成したことは、量産アプリケーションにつながるものと期待できる。 (ElectronicsWeekly)

参　考： 米IBM社(ビデオニュースリリース) 米IBM社(プレスリリース)

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