I2C/RFIDの両インターフェースを備えるEEPROM
スイスSTMicroelectronics社(以下、ST社)は2010年3月、I2CとISO15693の2種類のインターフェースに対応したEEPROM「M24LR64」を発表した。ISO15693は…
2010年3月10日 [メモリー]
Numonyx社がメモリー製造における事業戦略を明らかに
2009年11月、スイスNumonyx社の社長兼CEO(最高経営責任者)であるBrian Harrison氏が来日。同氏は、記者発表会において同社の戦略を明らかにした(写真1)。 Harriso…
Rambus社が次世代メモリー向けの新技術を発表、高速化/低消費電力化を実現
米Rambus社は2009年8月、DDR(Double Data Rate)3以降の次世代のメモリー技術についての発表を行った(写真1)。主に、コンピュータのメインメモリーで活用される技術に焦点…
2009年9月9日 [メモリー]
NECとNECエレクトロニクスは2009年6月、微細化に適したMRAM(磁気抵抗メモリー)を開発、動作実証を完了したと発表した。同社は、システムLSIに集積するMRAMの実用化を目指し、研究開発に取…
米Spansion社は2009年5月、SPI(Serial Peripheral Interface)に対応したNOR型フラッシュメモリーの新ファミリ「MirrorBit SPI Multi-I/O…
米Unity Semiconductor社は2009年5月、ビット当たりの製造コストを最小限に抑えつつ、業界最小クラスのダイサイズを実現する新たな不揮発性メモリーを開発したと発表した。同社は、多層メ…
アルティマは、『第12回ESEC(組込みシステム開発技術展)』(2009年5月13日~15日)において、米Altera社のFPGAチップ「Cyclone III」と米Everspin Technol…
東芝は2009年4月、32nmプロセスを採用した32Gビット容量のNAND型フラッシュメモリーを製品化し、同年4月からサンプル出荷を開始すると発表した。2009年7月からの量産開始を予定している。当…
東京エレクトロン デバイス(以下、TED)は2009年2月、SLC(Single Level Cell)のNAND型フラッシュメモリーに対応したシステムブート機能内蔵コントローラのIP(Intell…
2009年2月24日 [メモリー] [ソフトウェア/設計環境] [Misc.]
NECとNECエレクトロニクスは2009年2月、32MビットのMRAM(Magnetic Random Access Memory)を開発し、同メモリーの動作実証に成功したと発表した。 NECはこれ…
低消費電力、高データバンド幅、125℃動作を特長とした、SiP(System in Package)…
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特集 カーエレJAPAN |
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特集 ET 2009 |
SSDの真の可能性
SSDの市場が急速に拡大している。その利点が広く知られるようになるに連れ、多くの用途でSSDが利用されるようになってきた。だが、この新しいデバイスの能力と制約については、多くの誤解があるのも事実だ。そこで本稿では、その能力と制約について改めて解説するとともに、SSDの今後の可能性について検討してみたい。
微細化に堪え得るオンチップSRAM
ICの製造プロセスの微細化を進めるには、それに伴って生じる新たな課題に対処していかなければならない。そうした課題の1つが、プロセスばらつきの影響に堪え得るオンチップのSRAMを開発することである。今後も、SRAMの微細化トレンドを維持するためには、従来とは異なる技術的な工夫を盛り込む必要がある。
2009年11月号 [メモリー]
DDR3がもたらす真のメリット
DDR技術を用いたDRAMは、パソコンやサーバー機器などのメインメモリーとして広く利用されている。現時点では、DDR2が市場の過半を占めているが、次世代に当たるDDR3への移行も進んでいる。本稿では、DDR3のメモリーインターフェース規格の概要を紹介した上で、そのシグナルインテグリティ性能の高さや消費電力の少なさといった特徴から得られるメリットについて解説する。
2009年9月号 [メモリー]
慶應義塾大学、日立製作所、ルネサス テクノロジは共同で、マルチコアICとSRAMを3次元実装で積層する場合に、それぞれのチップ上に形成したコイルの電磁誘導によって、両者を無線通信で接続する手法の動作…
米Rambus社は2009年2月、携帯機器向けの高速メモリーインターフェース技術「MMI(Mobile Memory Initiative)」を発表した。データレートが最大4.3ギガビット/秒のMM…
ホームネットワーク機器向けのSoCでは、統合型メモリーアーキテクチャ(UMA)を採用するケースが増えてきた。このアーキテクチャを利用することにより、低価格なDRAMを使うことができるようになった。その結果として、DRAMインターフェースの性能がシステムの性能を大きく左右することにもなった。本稿では、DRAMを用いたメモリーシステムの効率を高めるための設計について論じる。
50nmプロセス DDR3 SDRAM
富士通マイクロエレクトロニクスは『Embedded Technology 2008』(2008年11月19日~21日開催)において、不揮発性の強誘電体メモリー(FRAM:Ferroelectric R…
D3U1333X3/D3U1066X3シリーズ
スイスNumonyx社は2008年10月、組み込み市場向けの65nm NOR型フラッシュメモリー2製品を発表した。1つは、「Numonyx StrataFlash H33(以下、H33)」で、主にパ…
FA・組込み用途向けタイニータワー筺体の汎用プラットフォーム産業仕様マザーボード・エンベデッドプロセ…
単なるグラフィックス回路の提供だけに止まらず、お客様のご要望による最適ポーティングに対応可能なグラフ…
成端済 ケーブルシステム Cat5e/Cat6/光ファイバー
電線の表面を傷つけにくい構造。特殊形状のヘッドで、電線束によりフィットします。
QVGAからFull-HDまで、幅広い解像度を実現するFPGA向けIPハードマクロ
[出展内容]新製品コイルテスタ6160はパワーモス方式(特許取得済)採用により微少コロナを数値にて判…
(この内容はET2009事務局からのデータ提供をもとに作成しています)弊社は、車載電装品のファームウ…
(この内容はET2009事務局からのデータ提供をもとに作成しています)NXPは高性能・低消費電力にフ…
サイレックス・テクノロジー株式会社(本社:京都府)は、ネットワーキングテクノロジーを核としたソリュー…
[出展内容]Forged Alloy Part for Automotive■出展展示会:カーエレJ…
ケースレーのI-V印加/測定の最新測定器で、ベンチトップのI-V特性評価用、多チャンネルI-V試験シ…
LTC6246/LTC6247/LTC6248 電力効率の高い180MHz、1mA、レール・トゥ・レ…
ヒステリシスは魔法を阻止するQ. 高精度アナログ回路を再キャリブレーションすれば、精度が高くなるでし…
システムレベル・仮想プラットフォームを手早く構築するためのトランザクタからなる仮想コンポーネント・ラ…
Maximは業界で最も幅広い温度管理の製品ポートフォリオを提供
信号処理システムをターゲットとしたS/WおよびH/W実装を行うための製品をご紹介するコースです。実際…
横浜国立大学大学院工学研究院 于強先生は、実装部品のはんだ接合部の非線形材料に関する研究についての日…
ANSYS製品による最先端の流体-構造連成(FSI)解析機能・事例をご紹介いたします。
「強力なジオメトリハンドリング」「ジオメトリに依存しないメッシング」「柔軟なメッシュ修正機能」のメッ…
複合材料などを使用した製品を開発するためには、材料のミクロとマクロとの構造特性を評価できるマルチスケ…