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耐圧600VのゲートドライバIC、
従来比で実装面積を73％削減

2010年02月03日
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「TND522VS/TND519SS」

　三洋半導体は2010年1月、小型で高耐圧のゲートドライバIC「TND522VS」、「TND519SS」を発表した。同年2月よりサンプル出荷を、3月より順次量産出荷を開始する予定である。電動自動車やエアコンなどのモーター、液晶プロジェクタのバラスト回路、太陽光発電システムの電源などに使われるパワーMOSFETやIGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）の駆動に用いる。TND522VSはハイサイド駆動用、TND519SSはハーフブリッジ駆動用となっている。サンプル価格はTND522VSが100円、TND519SSが200円。

　TND522VSでは、チップサイズとパッケージサイズの両面から小型化を図った。三洋半導体の既存品に比べると、性能を維持しながらも実装面積で73％、重さは95％削減することに成功した。外形寸法は2.9mm×2.8mm×0.75mm。パッケージには8端子VECを採用している。耐圧は600V、電源電圧が15V時の出力電流は200mA/400mAである。さらに、出力部とパワーMOSFETの間にpnp型/npn型のトランジスタを外付けで接続して、より高い出力電流を得る使い方も想定している。例えば、TND522VSに同社のトランジスタ「CPH5506」を組み合わせた場合、5Aの駆動能力が得られる。

　ハーフブリッジ駆動用のTND519SSは、ハイサイド側/ローサイド側のパワーMOSFETやIGBTが同時にオンすることを防止する回路を搭載している。また、一般的にこのような防止回路はドライバICの入力部に設置されることが多いが、これでは同IC内部のノイズを防ぐことが困難になるという。そこで、TND519SSでは防止回路を出力部に設置し、内外のノイズを防ぐ設計にしている。耐圧はTND522VSと同様に600V、出力電流は400mA/450mAである。パッケージは、外形寸法が5.0mm×6.0mm×1.8mmの8端子SOP。
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